Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT50N120

SCT50N120
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC, SiCFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
50 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 41 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%5 535,11 ₽

Сумма · с НДС 22%5 535,11 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 535,11 ₽
от 35 295,78 ₽
от 105 037,45 ₽
от 305 035,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT50N120
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC, SiCFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current50 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation318 W
КорпусHIP247™
Gate-source voltage-10...25 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge122nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 130A; 318W

Документация

Документ производителя