Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4065DEC11

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
750 V
Drain current
25 A
Power dissipation
88 W
Gate-source voltage
-4...21 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 120 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 683,61 ₽

Сумма · с НДС 22%15 152,49 ₽

От 9 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 91 683,61 ₽
от 101 519,64 ₽
от 301 409,05 ₽
от 501 386,17 ₽
от 601 243,17 ₽
от 1001 233,63 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT4065DEC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage750 V
Drain current25 A
Power dissipation88 W
Gate-source voltage-4...21 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 750V; 25A; 88W

Документация

Документы пока не предоставлены.