Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4062KEHRC11

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
26 A
Power dissipation
115 W
Gate-source voltage
-4...21 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSCT4062KEHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current26 A
Power dissipation115 W
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge64nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 26A; 115W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.