Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4062KEC11

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
26 A
Рассеиваемая мощность
115 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 165 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 658,68 ₽

Сумма · с НДС 22%14 928,12 ₽

От 9 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 91 658,68 ₽
от 101 497,13 ₽
от 301 388,18 ₽
от 501 365,64 ₽
от 601 224,75 ₽
от 1001 215,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT4062KEC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current26 A
Рассеиваемая мощность115 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge64nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 26A; 115W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.