Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4026DEHRC11

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
750 V
Drain current
56 A
Power dissipation
176 W
Gate-source voltage
-4...21 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 420 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 537,72 ₽

Сумма · с НДС 22%15 226,32 ₽

От 6 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62 537,72 ₽
от 102 374,36 ₽
от 302 264,19 ₽
от 502 017,26 ₽
от 1002 002,06 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT4026DEHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage750 V
Drain current56 A
Power dissipation176 W
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge94nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 750V; 56A; 176W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.