Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4026DEC11

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
750 V
Drain current
56 A
Power dissipation
176 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 553 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 504,50 ₽

Сумма · с НДС 22%15 027,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62 504,50 ₽
от 102 337,40 ₽
от 302 226,01 ₽
от 501 984,01 ₽
от 1001 970,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT4026DEC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage750 V
Drain current56 A
Power dissipation176 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge94nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 750V; 56A; 176W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.