Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4018KEC11

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
81 A
Power dissipation
312 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 336 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%5 047,03 ₽

Сумма · с НДС 22%15 141,09 ₽

От 3 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 35 047,03 ₽
от 44 911,65 ₽
от 54 829,67 ₽
от 94 680,94 ₽
от 204 122,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT4018KEC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current81 A
Power dissipation312 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 81A; 312W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.