Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4013DRC15

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
750 V
Drain current
105 A
Power dissipation
312 W
Корпус
TO247-4
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSCT4013DRC15
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage750 V
Drain current105 A
Power dissipation312 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 750V; 105A; 312W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.