Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT4013DEC11

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
750 V
Drain current
105 A
Power dissipation
312 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 161 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%4 910,18 ₽

Сумма · с НДС 22%14 730,54 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 34 910,18 ₽
от 44 773,42 ₽
от 54 691,74 ₽
от 94 545,48 ₽
от 204 002,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT4013DEC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage750 V
Drain current105 A
Power dissipation312 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...21 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 750V; 105A; 312W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.