ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3160KW7TL

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 17 A
Pulsed drain current: 42 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SCT3160KW7TL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	17 A
Pulsed drain current	42 A
Power dissipation	100 W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	-4...22 V
On-state resistance	208 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	42nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; Idm: 42A; 100W

Документация

Документы пока не предоставлены.