ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3120ALGC11

SCT3120ALGC11

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 52A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SCT3120ALGC11
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650V
Drain current	21A
Pulsed drain current	52A
Power dissipation	103W
Корпус	TO247
Gate-source voltage	-4...22V
On-state resistance	156mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	38nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.