ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор SCT3105KW7TL
TO263-7Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SiC
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 23 A
- Рассеиваемая мощность
- 125 W
- Корпус
- TO263-7
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 030 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 368,74 ₽
Сумма · с НДС 22%16 581,18 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 7 | 2 368,74 ₽ | |
| от 10 | 2 205,31 ₽ | |
| от 30 | 2 098,24 ₽ | |
| от 50 | 1 869,07 ₽ | |
| от 100 | 1 852,16 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SCT3105KW7TL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 23 A |
| Рассеиваемая мощность | 125 W |
| Корпус | TO263-7 |
| Gate-source voltage | -4...22 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 51nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 23A; 125W; TO263-7
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.