STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT30N120H

H2PAK-2Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 42 A
Pulsed drain current: 90 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SCT30N120H
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	42 A
Pulsed drain current	90 A
Power dissipation	230 W
Корпус	H2PAK-2
Gate-source voltage	-10...25 V
On-state resistance	0.1 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	105nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 90A; 230W

Документация

Документы пока не предоставлены.