Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3080KW7TL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
30 A
Pulsed drain current
75 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT3080KW7TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current30 A
Pulsed drain current75 A
Рассеиваемая мощность159 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-4...22 V
On-state resistance0.104 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W

Документация

Документы пока не предоставлены.