ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3080KLHRC11

SCT3080KLHRC11

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 31 A
Pulsed drain current: 77 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SCT3080KLHRC11
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	31 A
Pulsed drain current	77 A
Power dissipation	165 W
Корпус	TO247
Gate-source voltage	-4...22 V
On-state resistance	0.104 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	60nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 77A; 165W

Документация

Документы пока не предоставлены.