Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3080AW7TL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
650 V
Drain current
29 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO263-7
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 001 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 279,14 ₽

Сумма · с НДС 22%15 953,98 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 72 279,14 ₽
от 102 115,38 ₽
от 301 999,78 ₽
от 501 780,15 ₽
от 1001 766,67 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT3080AW7TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage650 V
Drain current29 A
Power dissipation125 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-4...22 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 29A; 125W; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.