Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3080ALHRC11

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Power dissipation
134 W
Gate-source voltage
-4...22 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 892 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 814,30 ₽

Сумма · с НДС 22%15 257,20 ₽

От 4 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 43 814,30 ₽
от 52 665,49 ₽
от 102 501,37 ₽
от 302 391,96 ₽
от 502 133,52 ₽
от 1002 118,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT3080ALHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Power dissipation134 W
Gate-source voltage-4...22 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge48nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 30A; 134W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.