ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3060AW7TL

TO263-7Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 38 A
Pulsed drain current: 95 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SCT3060AW7TL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	38 A
Pulsed drain current	95 A
Рассеиваемая мощность	159 W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	-4...22 V
On-state resistance	78 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	58nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 38A; Idm: 95A; 159W

Документация

Документы пока не предоставлены.