Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
72 A
Pulsed drain current
180 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT3030KLGC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current72 A
Pulsed drain current180 A
Рассеиваемая мощность339 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-4...22 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge131nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 72A; Idm: 180A; 339W

Документация

Документы пока не предоставлены.