ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3030AW7TL

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 70 A
Pulsed drain current: 175 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SCT3030AW7TL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	70 A
Pulsed drain current	175 A
Power dissipation	267 W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	-4...22 V
On-state resistance	39 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	104nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 267W

Документация

Документы пока не предоставлены.