ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 175A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SCT3030ALGC11
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650V
Drain current	70A
Pulsed drain current	175A
Power dissipation	262W
Корпус	TO247
Gate-source voltage	-4...22V
On-state resistance	39mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	104nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W

Документация

Документы пока не предоставлены.