Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT3017ALHRC11

SCT3017ALHRC11
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
118 A
Pulsed drain current
295 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSCT3017ALHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current118 A
Pulsed drain current295 A
Power dissipation428 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-4...22 V
On-state resistance22.1 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge172nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 118A; Idm: 295A; 428W

Документация

Документы пока не предоставлены.