Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT2280KEHRC11

SCT2280KEHRC11
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
14 A
Power dissipation
108 W
Корпус
TO247
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 870 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 016,35 ₽

Сумма · с НДС 22%16 130,80 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 82 016,35 ₽
от 101 850,23 ₽
от 301 739,48 ₽
от 501 546,63 ₽
от 601 540,90 ₽
от 1001 531,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT2280KEHRC11
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current14 A
Power dissipation108 W
КорпусTO247
Gate-source voltage-6...22 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 1.2kV; 14A; 108W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.