ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор SCT2160KEGC11

SCT2160KEGC11

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 22 A
Pulsed drain current: 55 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SCT2160KEGC11
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	22 A
Pulsed drain current	55 A
Power dissipation	165 W
Корпус	TO247
Gate-source voltage	-6...22 V
On-state resistance	208 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	62nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 55A; 165W

Документация

Документы пока не предоставлены.