STMICROELECTRONICS
Транзистор SCT20N120AG
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SiC
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 16 A
- Pulsed drain current
- 45 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 802,54 ₽
Сумма · с НДС 22%2 802,54 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 802,54 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SCT20N120AG |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 16 A |
| Pulsed drain current | 45 A |
| Рассеиваемая мощность | 153 W |
| Корпус | HIP247™ |
| Gate-source voltage | -10...25 V |
| On-state resistance | 0.22 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.