Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT20N120AG

SCT20N120AG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
16 A
Pulsed drain current
45 A

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 802,54 ₽

Сумма · с НДС 22%2 802,54 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 802,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT20N120AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current16 A
Pulsed drain current45 A
Рассеиваемая мощность153 W
КорпусHIP247™
Gate-source voltage-10...25 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 45A; 153W

Документация

Документ производителя