Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT10N120AG

SCT10N120AG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
10 A
Pulsed drain current
24 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT10N120AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current10 A
Pulsed drain current24 A
Power dissipation150 W
КорпусHIP247™
Gate-source voltage-10...25 V
On-state resistance0.58 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge22nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 24A; 150W

Документация

Документ производителя