Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT1000N170

SCT1000N170
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
7 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 726,64 ₽

Сумма · с НДС 22%1 726,64 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 726,64 ₽
от 31 540,49 ₽
от 51 424,62 ₽
от 101 377,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSCT1000N170
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current7 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation96 W
КорпусHIP247™
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance1.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 7A; Idm: 20A; 96W

Документация

Документы пока не предоставлены.