Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT070W120G3-4AG

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
30 A
Pulsed drain current
116 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT070W120G3-4AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current30 A
Pulsed drain current116 A
Рассеиваемая мощность236 W
КорпусHIP247-4
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance87 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge41nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 116A; 236W

Документация

Документы пока не предоставлены.