STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT070HU120G3AG

HU3PAKИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 30 A
Pulsed drain current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SCT070HU120G3AG
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	30 A
Pulsed drain current	100 A
Рассеиваемая мощность	223 W
Корпус	HU3PAK
Gate-source voltage	-10...22 V
On-state resistance	87 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	37nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 100A; 223W

Документация

Документы пока не предоставлены.