STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT055HU65G3AG

HU3PAKИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 30 A
Pulsed drain current: 132 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SCT055HU65G3AG
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	30 A
Pulsed drain current	132 A
Рассеиваемая мощность	185 W
Корпус	HU3PAK
Gate-source voltage	-10...22 V
On-state resistance	72 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	29nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 132A; 185W

Документация

Документы пока не предоставлены.