Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT040HU65G3AG

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
160 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT040HU65G3AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation221 W
КорпусHU3PAK
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 160A; 221W

Документация

Документы пока не предоставлены.