Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT040H120G3AG

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
40 A
Pulsed drain current
156 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT040H120G3AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current40 A
Pulsed drain current156 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусH2PAK7
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance54 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 156A; 300W

Документация

Документы пока не предоставлены.