Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT025W120G3-4AG

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
56 A
Pulsed drain current
240 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT025W120G3-4AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current56 A
Pulsed drain current240 A
Рассеиваемая мощность389 W
КорпусHIP247-4
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 56A; Idm: 240A; 389W

Документация

Документы пока не предоставлены.