Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT018W65G3-4AG

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
55 A
Pulsed drain current
323 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT018W65G3-4AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current55 A
Pulsed drain current323 A
Power dissipation398 W
КорпусHIP247-4
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge77nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W

Документация

Документы пока не предоставлены.