Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор SCT012H90G3AG

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
110 A
Pulsed drain current
454 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSCT012H90G3AG
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current110 A
Pulsed drain current454 A
Power dissipation625 W
КорпусH2PAK7
Gate-source voltage-10...22 V
On-state resistance15.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge138nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 110A; Idm: 454A; 625W

Документация

Документы пока не предоставлены.