ONSEMI
Диод SBAS16XV2T1G
- Type of diode
- switching
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 0.1 kV
- Load current
- 0.2 A
- Reverse recovery time
- 6ns
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 945 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%13,13 ₽
Сумма · с НДС 22%13,13 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 13,13 ₽ | |
| от 10 | 10,50 ₽ | |
| от 100 | 6,66 ₽ | |
| от 500 | 5,19 ₽ | |
| от 1000 | 4,71 ₽ | |
| от 3000 | 4,11 ₽ | |
| от 9000 | 3,56 ₽ | |
| от 15000 | 3,45 ₽ | |
| от 30000 | 3,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SBAS16XV2T1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of diode | switching |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 0.1 kV |
| Load current | 0.2 A |
| Reverse recovery time | 6ns |
| Semiconductor structure | single diode |
| Ёмкость | 2 pF |
| Корпус | SOD523 |
| Max. forward voltage | 1.25 V |
| Max. forward impulse current | 0.5 A |
| Leakage current | 30 µA |
| Рассеиваемая мощность | 0.2 W |
| Kind of package | reel, tape |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOD523; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.