Антава

ONSEMI

Диод SBAS16LT1G

SBAS16LT1G
Type of diode
switching
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.1kV
Load current
0.2A
Reverse recovery time
6ns
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSBAS16LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeswitching
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.1kV
Load current0.2A
Reverse recovery time6ns
Semiconductor structuresingle diode
Ёмкость2pF
КорпусSOT23
Max. forward voltage1.25V
Max. forward impulse current0.5A
Leakage current30µA
Power dissipation0.3W
Kind of packagereel, tape
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA

Документация

Документ производителя