Антава

ONSEMI

Диод SBAS16DXV6T1G

SBAS16DXV6T1G
Type of diode
switching
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.1 kV
Load current
0.2 A
Reverse recovery time
6ns
Semiconductor structure
double independent
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSBAS16DXV6T1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeswitching
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.1 kV
Load current0.2 A
Reverse recovery time6ns
Semiconductor structuredouble independent
Ёмкость2 pF
КорпусSOT563
Max. forward voltage1.25 V
Max. forward impulse current0.5 A
Leakage current30 µA
Power dissipation0.5 W
Kind of packagereel, tape
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT563; Ufmax: 1.25V; Ir: 30uA

Документация

Документы пока не предоставлены.