Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S3M0040120J-A

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
54 A
Pulsed drain current
223 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяS3M0040120J-A
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current54 A
Pulsed drain current223 A
Power dissipation600 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge143nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 223A; 600W

Документация

Документ производителя