Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S3M0040120B

S3M0040120B
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
40 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 25 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 134,00 ₽

Сумма · с НДС 22%1 134,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 134,00 ₽
от 31 020,03 ₽
от 10900,36 ₽
от 35809,18 ₽
от 105756,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS3M0040120B
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current40 A
Pulsed drain current200 A
Power dissipation333 W
КорпусT2PAK
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge143nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W

Документация

Документ производителя