Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S3M0025120K

S3M0025120K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
54 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяS3M0025120K
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current54 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность517 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge175nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W

Документация

Документы пока не предоставлены.