Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S3M0016120D

S3M0016120D
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
85 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 247 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 261,42 ₽

Сумма · с НДС 22%3 261,42 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 261,42 ₽
от 32 932,81 ₽
от 102 583,31 ₽
от 302 317,38 ₽
от 1502 174,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS3M0016120D
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current85 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation732 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge287nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W

Документация

Документ производителя