Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S3M0016120B

S3M0016120B
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
75 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 10 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 982,13 ₽

Сумма · с НДС 22%2 982,13 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 982,13 ₽
от 32 700,97 ₽
от 102 399,20 ₽
от 352 136,79 ₽
от 1051 999,96 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS3M0016120B
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current75 A
Pulsed drain current250 A
Рассеиваемая мощность576 W
КорпусT2PAK
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge287nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W

Документация

Документ производителя