Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0160120K

S2M0160120K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
12 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%773,09 ₽

Сумма · с НДС 22%773,09 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1773,09 ₽
от 10550,85 ₽
от 30516,66 ₽
от 150471,07 ₽
от 300450,18 ₽
от 600431,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS2M0160120K
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current12 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation130 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge26.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W

Документация

Документы пока не предоставлены.