Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0120120J

S2M0120120J
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
15 A
Pulsed drain current
66 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 48 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 148,82 ₽

Сумма · с НДС 22%1 148,82 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 148,82 ₽
от 10792,29 ₽
от 50716,83 ₽
от 100684,76 ₽
от 250643,26 ₽
от 500613,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS2M0120120J
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current15 A
Pulsed drain current66 A
Power dissipation153 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance212 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W

Документация

Документ производителя