Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0080120J

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
37 A
Pulsed drain current
82 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяS2M0080120J
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current37 A
Pulsed drain current82 A
Power dissipation234 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance77 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 37A; Idm: 82A; 234W

Документация

Документ производителя