Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0080120D

S2M0080120D
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
29 A
Pulsed drain current
82 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 774,29 ₽

Сумма · с НДС 22%3 774,29 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 774,29 ₽
от 103 098,07 ₽
от 252 524,42 ₽
от 1002 032,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS2M0080120D
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current29 A
Pulsed drain current82 A
Power dissipation231 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance137 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 82A; 231W

Документация

Документ производителя