Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0025120J

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
70 A
Pulsed drain current
250 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяS2M0025120J
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current70 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation311 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge177nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 250A; 311W

Документация

Документ производителя