SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0025120D

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 250A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	S2M0025120D
Производитель	SMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2kV
Drain current	39A
Pulsed drain current	250A
Power dissipation	517W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...20V
On-state resistance	41mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	130nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W

Документация

Документ производителя