Антава

SMC DIODE SOLUTIONS

Транзистор S2M0016120K

S2M0016120K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
140 A
Pulsed drain current
314 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%9 958,45 ₽

Сумма · с НДС 22%9 958,45 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19 958,45 ₽
от 58 944,36 ₽
от 107 930,26 ₽
от 307 123,60 ₽
от 1206 397,61 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяS2M0016120K
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current140 A
Pulsed drain current314 A
Power dissipation714 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge224nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W

Документация

Документ производителя