SMC DIODE SOLUTIONS
Транзистор S2M0016120K
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SiC
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 140 A
- Pulsed drain current
- 314 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%9 958,45 ₽
Сумма · с НДС 22%9 958,45 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 9 958,45 ₽ | |
| от 5 | 8 944,36 ₽ | |
| от 10 | 7 930,26 ₽ | |
| от 30 | 7 123,60 ₽ | |
| от 120 | 6 397,61 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | S2M0016120K |
|---|---|
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 140 A |
| Pulsed drain current | 314 A |
| Power dissipation | 714 W |
| Корпус | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -5...20 V |
| On-state resistance | 16 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 224nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.